【IPB067N08N3 G/规格参数】厂家_IPB067N08N3 G中文资料_价格

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型号： IPB067N08N3 G
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPB067N08N3 G产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	53 A
Id-连续漏极电流	80 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB067N08N3 GOptiMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPP070N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae849e8f1566b
产品型号	IPB067N08N3 G
Pd-PowerDissipation	136 W
Pd-功率耗散	136 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	6.7 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	6.7 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	80 V
Vds-漏源极击穿电压	80 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	66 ns
下降时间	8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 73µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3840pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	56nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	6.7 毫欧 @ 73A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO263-2
其它名称	IPB067N08N3 G-ND IPB067N08N3G IPB067N08N3GATMA1 SP000443636
典型关闭延迟时间	31 ns
功率-最大值	136W
包装	带卷（TR）
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装类型	表面贴装
导通电阻	6.7 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	TO-263-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
汲极/源极击穿电压	80 V
漏极连续电流	53 A
漏源极电压(Vdss)	80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	80A （Tc）
系列	IPB067N08
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	IPB067N08N3GATMA1 SP000443636

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